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查尔斯·西(Charles Sie)于1969年发表了相变存储器(PRAM)论文，并进行了演示

卖火柴的十一发表于 2020-06-11 16:45

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查尔斯·西(Charles Sie)在爱荷华州立大学发表了一篇论文，描述并演示了相变存储器(PRAM)。尽管PRAM一直没有商业化，但像三星这样的公司仍在开发它。

相变存储器的基本存储原理是在器件单元上施加不同宽度和高度的电压或电流脉冲信号，使相变材料发生物理相态的变化，即晶态（低阻态）和非晶态（高阻态）之间发生可逆相变互相转换，从而实现信息的写入（“１”）和擦除（“０”）操作。

相互转换过程包含了晶态到非晶态的非晶化转变以及非晶态到晶态的晶化转变两个过程，其中前者被称为非晶化过程，后者被称为晶化过程。然后依靠测量对比两个物理相态间的电阻差异来实现信息的读出，这种非破坏性的读取过程，能够确保准确地读出器件单元中已存储的信息。

查尔斯·西(Charles Sie)在爱荷华州立大学发表了一篇论文，描述并演示了相变存储器(PRAM)。尽管PRAM一直没有商业化，但像三星这样的公司仍在开发它。

查尔斯·西(Charles Sie)于1969年发表了相变存储器(PRAM)论文，并进行了演示

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